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美國IXYS模塊

總部(bu)設在加利(li)福尼(ni)亞州(zhou)米爾皮塔斯和(he)瑞(rui)士Biel的(de)IXYS公司,有(you)IXYS“30年的(de)歷史,它的(de)創立者是Nathan Zommer博(bo)士,作(zuo)為一個*要的(de)功率半導體制(zhi)造商已經獲得了**性(xing)的聲譽(yu)。SIEGLING輸送機皮帶

IXYS專(zhuan)門生產功率(lv)半導體器(qi)件,集成(cheng)電路和射頻功率(lv)多元(yuan)化的(de)產品,有2500多客戶利(li)用在**各地,包括在工(gong)業(ye),交通,通信,計算機,醫療,消費(fei)品和清潔(jie)技術市(shi)場。
IXYS公司主要產品(pin):
IXYS電源設備
離散(san) Mosfet
N 通道: 標(biao)準功率(lv) Mosfet
N-通道(dao): 功率 Mosfet 快本征二*管 (HiPerFET ™)
N 通道: 消耗模式 Mosfet
N 通道: 線性功(gong)率(lv) Mosfet 與(yu)擴展 FBSOAs
N 通道: 溝(gou)門功率(lv) Mosfet
N 通道: 超級交界處 COOLMOS ™ 功(gong)率 Mosfet
P-通道(dao): 標準功率 Mosfet
 
IXYS   MOSFET 模塊
X 級功率 MOSFET、H 橋 MOSFET 模塊(kuai)、階段腿 MOSFET 模塊(kuai)、溝門 MOSFET 模塊(kuai)
升(sheng)壓(ya)和降壓(ya)配(pei)置、雙開關常(chang)見(jian)源 MOSFET 模塊、單開關 MOSFET 模塊、ISOPLUS DIL ™ 溝槽(cao) MOSFET 模塊
分(fen)立器件
XPT ™ Igbt、PT Igbt、NPT 分立器(qi)件(jian)(jian)、額定 PT Igbt 短路、很高的電壓 NPT igbt 器(qi)件(jian)(jian)、BiMOSFETs/反向進行 Igbt、反向阻斷 Igbt、記者包(bao) Igbt、XPT 離散在 SMPD 包(bao)中
IGBT 模塊
XPT IGBT 模塊(kuai)
轉換器/剎車/Inv (CBI) IGBT 模(mo)塊、全橋(qiao) IGBT 模(mo)塊
IGBT 模塊在(zai) ISOPLUS i4-PAC ™、階段腿 IGBT 模塊
升壓(ya)和降壓(ya)斬波器的(de) IGBT 模(mo)塊、IGBT 模(mo)塊在 SMPD 包(bao)中
IGBT 交流開關
快恢復(fu)二*管(guan)-分立器件 & 模塊(kuai)、HiPerDYN ™ 弗(fu)雷(lei)德超(chao)快速(su)二*管(guan)
聲波 FRD ™ 快恢(hui)復(fu)二*管(guan)、(弗(fu)雷德) 快恢(hui)復(fu)二*管(guan)
弗雷德 & HiPerFRED ™ 模塊(kuai)、額外快恢復二*管
軟恢復(fu)二(er)*管、高功率(lv)聲波 FRD ™
SemiFast 二*管(guan)
快(kuai)恢復二(er)*管-螺柱(zhu)類型
快恢(hui)復二(er)*管-膠(jiao)囊類型
肖特基二*管
硅肖特基二(er)*管
碳化硅肖特基二*管
整流二*管,橋梁,PFC、
1 ~ 整流橋
1 ~ / 3 ~ 半 & 全控(kong)橋
3 ~ 整流橋
3 ~ 橋梁與 IGBT 和二*管的制動單元(yuan)
3 ~ 快速二(er)*管 & 集成軟起動晶(jing)閘管橋
1 & 3 階段高電(dian)壓(ya)整流模塊
1 ~ PFC 模塊(kuai) (1 ~ 橋(qiao) + MOSFET 升壓)
3 ~ PFC 模塊
IXYS二*管橋
晶閘管分立(li)器件、相位控制晶閘管、快(kuai)速開關(guan)晶閘管、中(zhong)等電壓(ya)晶閘管
門關斷晶(jing)閘(zha)(zha)(zha)(zha)管(guan)、非(fei)對稱(cheng)晶(jing)閘(zha)(zha)(zha)(zha)管(guan)、分布(bu)式的閘(zha)(zha)(zha)(zha)門晶(jing)閘(zha)(zha)(zha)(zha)管(guan)
脈沖晶閘管、MOS 門控晶閘管、二(er)*管 & 晶閘管模(mo)塊
單個(ge) & 雙二(er)*管(guan)模塊、可控硅/二(er)*管(guan)模塊、單個(ge) & 雙可控硅模塊
IXYS水冷模塊
交流開關(guan)、DCB 基(ji)板和模(mo)具、直接銅保稅(shui)氧化鋁基(ji)板、XPT IGBT 模(mo)具
IXYS高壓電流調節器
非可切換電流調(diao)節器(qi)、可切換電流調(diao)節器(qi)、閘門控制電流調(diao)節器(qi)
開關
IXYS交流開關、SMPD、SMPD 二*管、SMPD Igbt、SMPD Mosfet、SMPD BiMOSFET
保護裝(zhuang)置(zhi)
導通二*管 (BOD)Diristors
碳化硅 (SiC) 產品
功率 Mosfet整流(liu)橋(qiao)IGBT
 
IXYS集成電路
LED & 液(ye)晶(jing)屏驅(qu)動程序
背光 LED 驅動(dong)程序
Flash LED 的驅動程序
離線(xian)高亮(liang)度(du) LED 的驅動程序
LED 控制器
光電隔離的固態繼電器
固態繼電器 MOSFET 型)
功率繼電器
交流開關 (可控硅型)
IXYS光電耦合器和放大器
光電耦合器
光電隔離的誤差放大器
線性光電耦合器
電信(xin) Ic
線卡接入交換機
其他電信(xin) Ic
Cybergate 數據訪問安排 (DAA)
IXYS音信號產品
LITELINK ™ 硅 DAA、控制器/調節/傳感器、高邊電流監測器
IXDP610 數字脈寬調制控制器、數字的死區時間發生器
µPower 霍爾效應開關
12 位、 多通道功率 & 溫度傳感器
高速度水平移相器
門驅動程(cheng)序(xu)、半(ban)橋 & 3 相門驅動程(cheng)序(xu)
MOSFET/IGBT 柵*驅動程序(xu)、全橋門驅動程序(xu)
IXYS多功能產品
IXYS高速數字光隔離器
電源管理 Ic、高電壓模擬開關
IXYS線性穩壓器
升壓 DC/DC 變流器控制器
電壓檢測器、帶內置電感降壓和升壓轉換器
地面故障(zhang)中斷(duan)、ZGFI
射頻、RFID 芯片、定制的(de)設計(ji)服務RFID 配件
 
 
IXYS微控制器
Z8 安可 !、eZ80、ZNEO、Z8051、S3 家庭
檢測 & 控制、沒有(you)被運(yun)動、電機控制(zhi)、MC flash
射頻功率
射頻放大器、MMIC 放大器、WiMAX 放大器
無線擴音(yin)機、HBT 放大器、WiMax Gan 基射頻功率放大器
RF Mosfet、GaAs 場效應晶(jing)體管/pHEMTs/HFETs
切換模式 Mosfet、高頻 / 甚(shen)高頻線(xian)性 Mosfet
混合動力模塊
標準(zhun)增益(yi)課程模(mo)(mo)塊(kuai)、標準(zhun)電壓調節模(mo)(mo)塊(kuai)
標準溫度補償模塊、射頻(pin)驅(qu)動程序
MOSFET 驅動(dong) ;Ic、激光二(er)*管(guan)驅動(dong) Ic、GUNN二(er)*管(guan)
 
IXYS系統
激光二*管驅(qu)動程序(xu)、臺式(shi)激光二*管驅(qu)動程序(xu)
激光二*管(guan)驅動(dong)配件、激光二*管(guan)驅動(dong)模(mo)塊
IXYS電機控制(zhi)
單相電機效率控制器、脈沖的功(gong)率(lv)
脈沖發生(sheng)器配件套件
延遲 & 信號發生器、高壓脈沖發生器
 
IXYS綠色能源
太陽能產(chan)品
IXOLAR ™ **率 SolarBIT & SolarMD
其他太陽(yang)能電池 — —"芯片上的太陽(yang)能電池板"、太陽(yang)能手持(chi)產品
風電產品(pin)、Wespack、 Igbt
部分型號:
IXYS-0011 模塊 MCC95—16I01B  
       
IXYS-0017   CS23-16IO2 可控硅模塊
 


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